[发明专利]半导体装置和显示装置无效
| 申请号： | 200680050933.5 | 申请日： | 2006-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN101356650A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 安松拓人 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;G02F1/1333;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在同一基板上具有能够实现高性能化的电路元件和能够实现高耐压化的电路元件、并且能够实现高可靠性的半导体装置和显示装置。本发明的半导体装置在基板上具有第一电路元件和第二电路元件，上述第一电路元件具有依次叠层有第一半导体层、第一绝缘膜、第一导电层和第三绝缘膜的结构，上述第二电路元件具有依次叠层有第二半导体层、膜厚比第一绝缘膜的膜厚大的第二绝缘膜、和第二导电层的结构，上述第一绝缘膜具有最上层由氮化硅构成的叠层结构，上述第二绝缘膜由具有第一绝缘膜的叠层结构的下层部、和包括第一导电层上的第三绝缘膜的结构的上层部构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其在基板上具有第一电路元件和第二电路元件，所述第一电路元件具有依次叠层有第一半导体层、第一绝缘膜、第一导电层和第三绝缘膜的结构，所述第二电路元件具有依次叠层有第二半导体层、膜厚比第一绝缘膜的膜厚大的第二绝缘膜和第二导电层的结构，其特征在于：该第一绝缘膜具有最上层由氮化硅构成的叠层结构，该第二绝缘膜由具有第一绝缘膜的叠层结构的下层部、和包括第一导电层上的第三绝缘膜的结构的上层部构成。
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