[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种具有如下特征的半导体器件的制造方法，即，实现防止MOS晶体管的袋状杂质区域内所包含的杂质的再扩散以及杂质活化的提高，同时抑制MOS晶体管的特性降低。本发明的半导体器件的制造方法因为具有如下特征所以能够解决上述问题，即，包括：第一杂质导入工序，向MOS晶体管的源极及漏极区域导入杂质，所述MOS晶体管的源极及漏极区域具有与MOS晶体管的沟道区域相邻的源极及漏极扩张区域；第二杂质导入工序，向袋状杂质区域导入杂质，所述袋状杂质区域从晶体半导体衬底内的源极及漏极扩张区域的底部向深度方向形成；表面层形成工序，以与源极及漏极扩张区域和袋状杂质区域重叠的方式，在半导体衬底的表面形成非晶态表面层；再结晶工序，利用固相外延法对非晶态表面层进行再结晶处理。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有形成在半导体晶体衬底上的MOS晶体管，该半导体器件的制造方法的特征在于，包括：第一杂质导入工序，向第一杂质区域导入第一杂质，其中，所述第一杂质区域构成所述MOS晶体管的源极及漏极区域的一部分，而且与所述MOS晶体管的沟道区域相邻；第二杂质导入工序，向第二杂质区域导入第二杂质，所述第二杂质区域从所述第一杂质区域的底部向所述半导体晶体衬底的深度方向形成；非晶态层形成工序，在所述半导体晶体衬底的表面形成包括所述第一杂质区域及所述第二杂质区域的非晶态层；再结晶工序，通过热处理对所述非晶态层进行再结晶处理。