[发明专利]热处理系统、部件和方法有效
| 申请号： | 200680050966.X | 申请日： | 2006-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101416276A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | J·M·科瓦尔斯基;J·E·科瓦尔斯基 | 申请（专利权）人： | DSG科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨 勇;郑建晖 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在集成电路的制造中热处理是重要的过程。随着集成电路发展成更小和更快，对可有效和均匀地加热这些电路而不损坏它们的较高精度的热处理系统存在日益增加的需要。因此，本发明人设计了其中包括的示例性热处理系统，该系统包括反射微波的密闭室、在密闭室内的内部的透微波的处理室、在处理室内的透微波的晶片载体、以及用于在外室内引入微波辐射的5.8千兆赫微波源。该系统可用于使用10％浓度的臭氧来有效地氧化一批垂直堆叠的硅晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 系统 部件 方法 | ||
【主权项】：
1. 装置，包括：第一室；至少一个标称5. 8千兆赫的微波信号发生器，其被耦合以将微波能引入所述第一室中；以及晶片堆叠架，其被容纳在所述室中用于容纳多个硅晶片，所述架主要由实质上透微波的材料组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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