[发明专利]碳纳米管、具备其的基板及电子发射元件、碳纳米管合成用基板、以及它们的制造方法及制造装置无效
申请号: | 200680051158.5 | 申请日: | 2006-11-24 |
公开(公告)号: | CN101360681A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
发明(设计)人: | 安藤寿浩;中川清晴;蒲生美香;蒲生秀典 | 申请(专利权)人: | 独立行政法人物质·材料研究机构;凸版印刷株式会社 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;C01B31/02;H01J1/304;H01J9/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 张楠;陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 碳纳米管(64)在其拉曼光谱中在1580cm-1附近的拉曼散射强度最大。能够在由导电性基板(62)和形成于导电性基板的表面上的催化剂微粒(63)构成的基板的催化剂微粒(63)上使碳纳米管生长。催化剂微粒(63)由氧化钴催化剂超微粒构成。在对该碳纳米管(64)的顶端(64a)外加电压而发射电子的电子发射元件(60)中,能够降低驱动电压,并能够得到使市售的低速电子射线用荧光体发光的程度的电流值。由于电子发射元件(60)不需要栅极,因此能够简化采用其的面发光元件的结构,进而能够实现低成本化。由于碳材料即使在低真空区域也不被氧化,因此与采用以往的电子发射元件的发光元件相比,容易面板化,并且可谋求长寿命化。 | ||
搜索关键词: | 纳米 具备 电子 发射 元件 合成 用基板 以及 它们 制造 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、一种碳纳米管,其特征在于,在碳纳米管的拉曼光谱中,1580cm-1 附近的拉曼散射强度最大。
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