[发明专利]使用具有非均匀厚度的电介质的存储器单元有效
| 申请号： | 200680051880.9 | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101336486A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 克雷格·T·斯维夫特;高里尚卡尔·L·真达洛雷 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;陆锦华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过将电荷注入到存储器单元的电荷贮存层(42，116)中对存储器单元(36，110)编程。所需的已编程电荷产生在存储器单元的沟道区域的边缘部分上方的电荷贮存层。不需要的已编程电荷产生在沟道区域的内部部分上方的电荷贮存层。电荷隧穿用于基本上移除电荷贮存层中不需要的已编程电荷。在一种形式中，存储器单元具有衬底(38，112)，该衬底具有沟道区域；第一介电层(40，114)，位于衬底上方；以及电荷贮存层(42，116)，位于第一介电层上方。电荷贮存层上方的第二介电层(44，130)具有比第二部分(106)厚的第一部分(58或54；104或108)，以选择性地控制所述电荷隧穿。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 具有 均匀 厚度 电介质 存储器 单元 | ||
【主权项】：
1.一种存储器单元，包括：衬底，具有沟道区域；第一介电层，位于所述衬底上方；电荷贮存层，位于所述第一介电层上方；第二介电层，位于所述电荷贮存层上方，所述第二介电层具有比第二部分厚的第一部分，所述第一部分覆盖所述沟道区域的至少一部分；以及栅极，位于所述第二介电层上方和所述沟道区域上方，其中，所述栅极的第一侧壁位于所述第二介电层的所述第一部分上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司，未经飞思卡尔半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680051880.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可将纱网自动卷入纱盒内的隐形纱窗
- 下一篇：一种阻燃保温建筑板材
- 同类专利
- 专利分类
