[发明专利]巨磁阻的保护性导电层无效
| 申请号： | 200680051930.3 | 申请日： | 2006-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101336379A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | P·A·霍尔曼 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;王小衡 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种呈现巨磁阻效应的巨磁阻结构以及包括该结构的装置。所述结构包括巨磁阻元件，其被保护层所包围，该保护层能够屏蔽所述元件免受恶劣环境条件影响，由此使得它们能够应用在恶劣的环境中。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 保护性 导电 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：a)衬底；b)位于该衬底表面上的第一非磁性敏感、导电、抗腐蚀层；c)位于所述第一非磁性敏感、导电、抗腐蚀层表面上的多层巨磁阻元件，所述巨磁阻元件包括：i)第一磁性敏感层；ii)位于所述第一磁性敏感层表面上的非磁性敏感间隔层；以及iii)位于所述间隔层表面上的第二磁性敏感层；以及d)第二非磁性敏感、导电、抗腐蚀层，其中所述巨磁阻元件位于所述第一非磁性敏感、导电、抗腐蚀层与所述第二非磁性敏感、导电、抗腐蚀层之间，并与所述第一非磁性敏感、导电、抗腐蚀层与所述第二非磁性敏感、导电、抗腐蚀层中的每一个接触。
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