[发明专利]表面声波压力传感器无效

专利信息
申请号: 200680052313.5 申请日: 2006-12-01
公开(公告)号: CN101336513A 公开(公告)日: 2008-12-31
发明(设计)人: C·P·科比亚努;I·帕夫列斯库;V·V·阿夫拉梅斯库;J·D·库克;L·J·麦克纳利 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: H03H3/08 分类号: H03H3/08;G01L9/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 朱海煜;王忠忠
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 改进的SAW压力传感器及其制造方法。可提供上面设置有多个SAW变换器的SAW晶片。也可提供覆盖晶片,而玻璃壁位于覆盖晶片与SAW晶片之间。覆盖晶片可固定到SAW晶片上,使得玻璃壁环绕SAW变换器。在一些实例中,玻璃壁可至少部分限定在覆盖晶片与SAW晶片之间的间隔。在覆盖晶片与SAW晶片之间也可提供一个或多个轮廓,使得在覆盖晶片设置在SAW晶片上方并相对于其固定时,至少一个轮廓环绕至少一个SAW变换器。
搜索关键词: 表面 声波 压力传感器
【主权项】:
1.一种同时产生多个SAW传感器的方法,所述方法包括以下步骤:提供SAW晶片,所述SAW晶片包括设置于其上的多个SAW变换器;提供覆盖晶片;在所述SAW晶片与所述覆盖晶片之间提供防护壁;以及将所述覆盖晶片固定到所述SAW晶片,使得所述防护壁环绕所述多个SAW变换器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司,未经霍尼韦尔国际公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680052313.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top