[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200680052814.3 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101375403A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 间部谦三 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;黄启行 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括：硅衬底；和场效应晶体管，所述场效应晶体管包括在所述硅衬底上的栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜上的栅电极，以及源漏区。所述栅电极在与所述栅极绝缘膜接触的部分中包括，结晶Ni硅化物区，其包含杂质元素，所述杂质元素的导电类型与所述场效应晶体管中的沟道区的导电类型相反。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：硅衬底；和场效应晶体管，场效应晶体管包括在所述硅衬底上的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上的栅电极、以及源漏区，其中所述栅电极至少在与所述栅极绝缘膜接触的部分中包括，包含杂质元素的结晶Ni硅化物区，所述杂质元素的导电类型与所述场效应晶体管中的沟道区的导电类型相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680052814.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：间歇抽油电机自动间停启动装置
- 下一篇：组合型双控-2用1备系统控制器
- 同类专利
- 专利分类
