[发明专利]热电变换组件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680053271.7 | 申请日： | 2006-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101385153A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 川内康弘;中村孝则 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;H01L35/34;H01L35/26 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够小型化而且高性能化的热电变换组件。采用多层电路基板的制造技术，特别是通路导体的形成技术，在由多个绝缘层(2)构成的层叠体(3)的内部，形成p型热电半导体(4)及n型热电半导体(5)。将成对的p型热电半导体(4)及n型热电半导体(5)利用pn间连接导体(11)互相串联地电连接，构成热电变换元件对(10)，多个热电变换元件对(10)例如利用串联布线导体(12)串联连接。各热电半导体(4、5)具有性能指数的峰值温度互相不同的多个部分(21～23及24～26)，这些多个部分沿层叠体(3)的层叠方向分布。 | ||
| 搜索关键词： | 热电 变换 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种热电变换组件，其特征在于，具备：p型热电半导体及n型热电半导体，以及具有由带有绝缘性的多个绝缘层形成的层叠结构的层叠体，在所述层叠体设置有收容所述p型热电半导体的至少1个第1收容孔，以及收容所述n型热电半导体的至少1个第2收容孔，为了形成由1对所述p型热电半导体与所述n型热电半导体构成的热电变换元件对，同时还设置有将成对的所述p型热电半导体与所述n型热电半导体互相串联地电连接的pn间连接导体，所述第1及第2收容孔，分别由在特定的多个所述绝缘层的厚度方向上贯通并连接而被设置的多个第1及第2贯通孔提供，所述p型热电半导体及所述n型热电半导体的至少一方，具有性能指数的峰值温度互相不同的多个部分，所述多个部分沿所述层叠体的层叠方向分布。
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