[发明专利]导电性金属氧化物薄膜的除去方法及装置无效
申请号: | 200680054217.4 | 申请日: | 2006-09-25 |
公开(公告)号: | CN101416283A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
发明(设计)人: | 大工博之;井上铁也;椙本孝信 | 申请(专利权)人: | 日立造船株式会社;日立造船精密科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3063 | 分类号: | H01L21/3063;C03C23/00;C25F3/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 冯 雅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供除去导电性金属氧化物薄膜直至端部也无残留的方法及装置。将正电极13和第1负电极14与基材11表面的导电性金属氧化物薄膜12对向并以非接触状态并排设置。在正电极13和第1负电极14间,在导电性金属氧化物薄膜12的宽度方向以接触状态设置多个第2负电极17。以电解液存在于这些电极13、14、17和导电性金属氧化物薄膜12间的状态,对电极13、14、17施加电压。使基材11相对于电极13、14、17进行移动,使得导电性金属氧化物薄膜12在通过负电极14、17后通过正电极13。可不生成瑕疵或应力变形,而有效地除去导电性金属氧化物薄膜直至最终端部,可实现高价的功能性玻璃基板等的再生利用。 | ||
搜索关键词: | 导电性 金属 氧化物 薄膜 除去 方法 装置 | ||
【主权项】:
1. 导电性金属氧化物薄膜的除去方法,其特征在于,将正电极和第1负电极与形成于基材表面的导电性金属氧化物薄膜对向并以非接触状态并排设置,同时在所述第1负电极的前段或后段或前段及后段,将第2负电极在所述导电性金属氧化物薄膜的宽度方向以接触状态设置多个,然后,以在这些正电极、第1负电极、第2负电极和所述导电性金属氧化物薄膜间存在电解液的状态,对所述正电极、第1负电极、第2负电极施加电压,使形成于基材表面的导电性金属氧化物薄膜相对于所述正电极、第1负电极、第2负电极进行移动,使得导电性金属氧化物薄膜在通过第1负电极、第2负电极后通过正电极,藉此利用还原反应除去所述基材表面的导电性金属氧化物薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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