[发明专利]棒形半导体装置有效

专利信息
申请号: 200680054942.1 申请日: 2006-06-14
公开(公告)号: CN101461068A 公开(公告)日: 2009-06-17
发明(设计)人: 中田仗佑 申请(专利权)人: 京半导体股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L27/15;H01L31/04
代理公司: 北京华夏博通专利事务所 代理人: 刘 俊
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种具有受光或发光功能的棒形半导体装置,其包括:棒形基材,由p型或n型半导体晶构成;一导电层,形成在该基材表层中部与基材轴心平行的带状部份以外的部份,而且其导电型与上述基材的导电型不同;pn结面,由上述基材和导电层形成;带状的第一电极,欧姆性连接(电阻性连接ohmic connection)在形成于上述基材的上述带状部份的表面的上述基材;以及带状的第二电极,电阻性连接在包夹上述基材的轴心的第一电极的相反侧的上述导电层。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1. 一种棒形半导体装置,具有受光或发光功能,其特征在于该棒形半导体装置包括:棒形的基材,由p型或n型的剖面为圆形或大致圆形的半导体晶构成;导电层,形成在该基材表层中部与基材的轴心平行的带状部份以外的部份,而且其导电型与上述基材的导电型不同;大致圆筒形的pn结面,由上述基材和导电层形成;带状的第一电极,欧姆性连接在上述基材的上述带状部份的表面;以及带状的第二电极,欧姆性连接在包夹上述基材的轴心的第一电极的相反侧的上述导电层的表面。
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