[发明专利]第III族氮化物单晶及其生长方法有效
| 申请号： | 200680055009.6 | 申请日： | 2006-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101466878A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 宫永伦正;水原奈保;藤原伸介;中畑成二;中幡英章 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了生长结晶度良好的第III族氮化物单晶的方法，所述方法具有优良的再现性，并提供了通过所述生长方法形成的第III族氮化物晶体。本发明的一个方面是在晶体生长容器(11)内生长第III族氮化物单晶(3)的方法，所述方法的特征在于，由金属碳化物形成的孔隙率为0.1％～70％的多孔体被用作所述晶体生长容器(11)的至少一部分。使用晶体生长容器(11)，可将晶体生长容器(11)内1％～50％的原料气体(4)经由多孔体中的孔而排放至晶体生长容器(11)的外部。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种在晶体生长容器内生长第III族氮化物单晶的方法，该方法的特征在于，在晶体生长容器的至少一部分中使用由金属碳化物形成的多孔体，所述多孔体的孔隙率为0.1％～70％。
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