[发明专利]半导体器件的制造方法及制造装置有效
| 申请号： | 200680055903.3 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101512741A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 松井弘之;牧野豊;芥川泰人 | 申请（专利权）人： | 富士通微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 浦柏明;徐 恕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供半导体器件的制造方法及制造装置。在进行回流焊时，首先将凸块(12)的上部(12b)加热至该凸块(12)的熔融温度以上的规定温度，使得先从该上部(12b)开始熔融。接着，将凸块(12)的下部(12a)加热至该凸块(12)的熔融温度以上的规定温度，使该下部(12a)熔融。此时，凸块(12)的上部(12b)已开始熔融，处于焊料粘性降低的状态，而且，在下部(12a)熔融的阶段，凸块(12)无偏斜且大致均匀地熔融，呈大致球状的稳定形状。因此，即使发生热振动等，由于已形成为稳定形状，因此不存在凸块(12)发生倾倒等担心，而且各凸块(12)在彼此相邻处不会发生短路，从而能够获得所希望的良好的回流焊状态。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，仅对在半导体衬底的一侧主面的电极上形成的凸块的上部进行加热以使其熔融；以及第二工序，对所述凸块的下部也进行加热，使所述凸块的整体熔融。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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