[发明专利]涂布有凸点的半导体晶片的方法无效
申请号: | 200680056544.3 | 申请日: | 2006-12-08 |
公开(公告)号: | CN101595553A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | D·怀亚特;G·达特;A·P·珀瑞兹 | 申请(专利权)人: | 汉高股份两合公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民;路小龙 |
地址: | 德国杜*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述了将有凸点的晶片的有源面涂布正面保护(FSP)材料或晶片级底部填充剂(WLUF),而不会使焊料凸点污染上涂料和/或填料的方法。在该方法中,将防护材料施加在晶片有源面上焊料凸点的顶部,然后用涂料涂布晶片的正面,对涂料进行硬化,并且任选地将防护材料从焊料凸点去除。 | ||
搜索关键词: | 涂布有凸点 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】:
1.一种涂布半导体晶片的有源面的方法,所述半导体晶片的有源面具有沉积在其上的焊料凸点,所述方法包括:(a)提供半导体晶片,其具有正面和与所述正面相对的背面,所述正面是有源的并具有沉积在其上的焊料凸点,(b)将防护材料施加在所述焊料凸点的顶部,(c)用涂料涂布所述晶片的所述正面,(d)硬化所述涂料,以及(e)任选地,将所述防护材料从所述焊料凸点去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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