[发明专利]涂布有凸点的半导体晶片的方法无效

专利信息
申请号: 200680056544.3 申请日: 2006-12-08
公开(公告)号: CN101595553A 公开(公告)日: 2009-12-02
发明(设计)人: D·怀亚特;G·达特;A·P·珀瑞兹 申请(专利权)人: 汉高股份两合公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 赵蓉民;路小龙
地址: 德国杜*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 描述了将有凸点的晶片的有源面涂布正面保护(FSP)材料或晶片级底部填充剂(WLUF),而不会使焊料凸点污染上涂料和/或填料的方法。在该方法中,将防护材料施加在晶片有源面上焊料凸点的顶部,然后用涂料涂布晶片的正面,对涂料进行硬化,并且任选地将防护材料从焊料凸点去除。
搜索关键词: 涂布有凸点 半导体 晶片 方法
【主权项】:
1.一种涂布半导体晶片的有源面的方法,所述半导体晶片的有源面具有沉积在其上的焊料凸点,所述方法包括:(a)提供半导体晶片,其具有正面和与所述正面相对的背面,所述正面是有源的并具有沉积在其上的焊料凸点,(b)将防护材料施加在所述焊料凸点的顶部,(c)用涂料涂布所述晶片的所述正面,(d)硬化所述涂料,以及(e)任选地,将所述防护材料从所述焊料凸点去除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汉高股份两合公司,未经汉高股份两合公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680056544.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top