[发明专利]互连结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200710001838.2 | 申请日： | 2007-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101000904A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 尼古拉斯·C.·弗勒;蒂莫西·约瑟夫·达尔顿;萨特扬纳拉扬纳·文卡塔·尼塔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文提供了一种互连结构，其具有最小化学计量改变的有机硅酸盐玻璃层间介电材料和可选的完整有机粘附促进剂，其用在半导体器件中。由于与常规使用的那些结构相比，该互连结构的叠层的有效介电常数降低，因此该互连结构能够提供改善的器件性能、功能和可靠性，这是因为在灰化图形化材料之前，在完成阻挡层开口步骤期间，使用了沉积到电介质和可选的有机粘附促进剂上的牺牲聚合物材料。该牺牲膜在其中去除聚合物膜的随后的灰化步骤期间，保护电介质和可选的有机粘附促进剂不改变/消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构，包括：有机硅酸盐玻璃(OSG)电介质，包括嵌入到其中的至少一个导电特征，其中与所述至少一个导电特征相邻的OSG电介质的壁部分具有基本上与OSG电介质剩余部分相同的化学计量和介电常数。
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