[发明专利]具有集成磁场突变保护的超导磁体低温恒温器无效
申请号: | 200710002049.0 | 申请日: | 2007-01-18 |
公开(公告)号: | CN101063709A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | G·吉尔格拉斯;M·J·M·克瑞普 | 申请(专利权)人: | 西门子磁体技术有限公司 |
主分类号: | G01R33/3815 | 分类号: | G01R33/3815;G01R33/421 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 范晓斌;赵辛 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 本发明公开了一种具有集成磁场突变保护的超导磁体低温恒温器。当系统中各组件选用的材料具有适合的相对电导率时,可以提供针对杂散磁场的保护,特别是针对与磁体失超相关的杂散磁场的保护。 | ||
搜索关键词: | 具有 集成 磁场 突变 保护 超导 磁体 低温 恒温器 | ||
【主权项】:
1.一种限制与安装在管状支架上的轴对称超导磁体相关的杂散磁场范围的方法,包括将部件定位在该磁体径向内侧以及将部件定位在该磁体径向外侧的步骤,其中,所述定位于该超导磁体径向内侧的部件具有比所述定位于该超导磁体径向外侧的部件显著更低的周向电导。
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