[发明专利]绝缘结构及其形成方法、以及浅沟槽绝缘结构的形成方法无效
| 申请号： | 200710002274.4 | 申请日： | 2007-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101118870A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 蔡正原;林志隆;薛正诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种绝缘结构的形成方法，其包括以下步骤：(a)于基底中形成开口；(b)沿着该开口顺应性的形成材料层，该材料层包括以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层；以及(c)于该以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层上形成介电层，且该介电层填入该开口中。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 结构 及其 形成 方法 以及 沟槽 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘结构的形成方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(a)于基底中形成开口；(b)沿着该开口顺应性地形成材料层，该材料层包括以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层；以及(c)于该以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层上形成介电层，且该介电层填入该开口中。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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