[发明专利]非晶硅碳薄膜核电池无效
| 申请号： | 200710002564.9 | 申请日： | 2007-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101236794A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;马昕 | 申请（专利权）人： | 北京行者多媒体科技有限公司 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100086北京市海淀区中关村南大街*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了将核能转换成电能的原子电池的一种新颖设计。基于非晶硅或其合金的D伏(beta－voltaic)核电池，具有p－i－n型半导体薄膜的器件结构，含氚的β放射性元素放置在氚化非晶硅或其合金所构成的p层和n层之中，而i层由不含氚的，宽能带隙的本征氢化非晶硅碳合金(intrinsic a－SiC)所组成。这种设计使得基于非晶硅类型的β伏核电池的效率和稳定性都被极大地提高。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅碳 薄膜 核电 | ||
【主权项】：
1. 一个p-i-n型β伏电池，它由下列基于硅的薄膜层构成：a)一个β活性p层，由氚原子浓度高于8％的硼掺杂的氚化非晶硅或氚化非晶硅的合金组成，包括具有宽能带隙的氚化非晶硅碳薄膜；b)一个β活性n层，由氚原子浓度高于6％的磷掺杂的氚化硅或氚化硅合金组成，包括氚化非晶硅和氚化纳米硅薄膜；c)一个本征i层，由不含氚的、非掺杂的、能带隙大于1.85eV的氢化非晶硅碳合金构成，其厚度在200-500纳米范围之内，其并被放置在所述β活性p层和所述β活性n层之间，其特征为：具有远远低于本征非晶硅的导电性，且具有与本征非晶硅相近的低电子缺陷浓度。
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