[发明专利]薄膜硅太阳能电池的背接触层

摘要

本发明公开了一种新颖的薄膜硅太阳能电池背接触层的设计方案。为了克服薄膜氢化硅太阳能电池中有关氧化锌/银的高反射率双薄膜背接触层的分流及不稳定性问题，同时避免氧化锌/银/铝背接触层中银和铝的相互扩散的现象，本发明在银和铝中间插入一个阻挡层，从而为实际光伏应用提供一个反射率高、稳定性强的结构为氧化锌/银/氧化锌/铝的背接触层。

主权项

1. 一个薄膜光电器件，包含：a)一个透明导电的前电接触层，该前电接触层包括像掺杂型氧化锡或者掺杂型氧化锌这样的透明导电氧化物，包括氟掺杂的氧化锡(SnO2:F)和铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al)；b)一个单一的p-i-n型光电单元或者多个重叠在一起的p-i-n型光电单元，包括基于氢化硅的p型、本征i型和n型半导体薄膜；c)一个反光的导电背电接触层，其特征在于：依次包括：i.一个透明导电氧化物薄膜，包括铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al)；ii.一个银薄膜，其厚度小于60纳米；iii.一个扩散阻挡薄膜，具有良好的导电性，包括铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al)，其厚度不超过50纳米；iv.一个铝薄膜，其厚度大于100纳米。