[发明专利]处理晶圆的方法无效
| 申请号： | 200710002699.5 | 申请日： | 2007-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101230463A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 范振隆 | 申请（专利权）人： | 科林研发股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F4/00 | 分类号： | C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;王兰凤 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种在一反应腔中处理一晶圆的方法，包括下列步骤：执行一过蚀刻，以便使金属线与线之间有足够深度的氧化层隔离深度；施加一高偏压、高瓦特等离子，以便去除所述晶圆表面的一反应聚合物以及去除所述反应腔表面的所述反应聚合物；及执行一除电，以便去除所述晶圆上的静电，然后将晶圆传出反应腔。通过使用本发明的高偏压、高瓦特等离子的方法，可产生如下的功效：(1)降低生产所述晶圆的瑕疵；(2)延长所述晶圆表面一铝铜线被腐蚀的时间；(3)延长所述反应腔开腔清洗的一平均循环周期；(4)缩短下一酸槽时间；及(5)每片晶圆的合格率可提升2～5％。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在一反应腔中处理一晶圆的方法，包括下列步骤：执行一过蚀刻，以便使金属线与线之间有足够深度的氧化层隔离深度；施加一高偏压、高瓦特的等离子，以便去除所述晶圆表面上的一反应聚合物以及去除所述反应腔表面上的所述反应聚合物；及执行一除电，以便去除所述晶圆上的静电，然后将所述晶圆传出所述反应腔。
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