[发明专利]制作低驱动电压微抓举式致动器的方法及其结构无效

专利信息
申请号: 200710003171.X 申请日: 2007-02-25
公开(公告)号: CN101252329A 公开(公告)日: 2008-08-27
发明(设计)人: 洪银树;黄义佑;李彦其;林君颖 申请(专利权)人: 建凖电机工业股份有限公司
主分类号: H02N1/06 分类号: H02N1/06;H02N1/08
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 王燕秋
地址: 台湾省高雄市苓*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明涉及一种制作低驱动电压微抓举式致动器的方法及其结构,包含以下步骤:在一超低阻值硅基板上沉积一绝缘层,并在第一道微影制程后蚀刻绝缘层,裸露出超低阻值硅基板的下电极预定位置;在绝缘层上沉积第一层低应力牺牲层,并在第二道微影制程蚀刻定义出锚、微型突点预定位置以及轴衬图案;在第一层低应力牺牲层上沉积第二层低应力牺牲层,以修正轴衬最小线宽达1.5μm以下;在第三道微影制程蚀刻定义出锚和下电极预定位置的图案;在第二层低应力牺牲层上沉积主结构层,并置入水平炉管进行磷扩散及高温退火制程;在第四道微影制程蚀刻定义出主结构层的图案;在第五道微影制程蚀刻定义出上电极与下电极图案;以湿式蚀刻第一、二低应力牺牲层以释放主结构层。
搜索关键词: 制作 驱动 电压 抓举 式致动器 方法 及其 结构
【主权项】:
1. 一种制作低驱动电压微抓举式致动器的方法,其特征在于包含以下步骤:步骤一:在一超低阻值硅基板上沉积一绝缘层,并在第一道微影制程后蚀刻所述绝缘层,裸露出超低阻值硅基板的下电极预定位置;步骤二:在所述绝缘层上沉积第一层低应力牺牲层,并在第二道微影制程蚀刻定义出锚、微型突点预定位置以及轴衬图案;步骤三:在所述第一层低应力牺牲层上沉积第二层低应力牺牲层,以修正轴衬最小线宽达1.5μm以下;步骤四:在第三道微影制程蚀刻定义出锚和下电极预定位置的图案;步骤五:在所述第二层低应力牺牲层上沉积主结构层,并置入水平炉管进行磷扩散及高温退火制程;步骤六:在第四道微影制程蚀刻定义出主结构层的图案;步骤七:在第五道微影制程蚀刻定义出上电极与下电极图案;步骤八:以湿式蚀刻第一、二低应力牺牲层以释放主结构层。
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