[发明专利]金属氧化物半导体元件和半导体结构有效
| 申请号： | 200710003352.2 | 申请日： | 2007-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101087001A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 黄健朝;杨富量 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属氧化物半导体元件和半导体结构，包括一栅极堆叠位于半导体基底上方。一间隙壁衬层位于栅极堆叠的侧壁，且间隙壁衬层具有一部分位于基底上方。一间隙壁位于间隙壁衬层上方，PMOS元件的间隙壁较佳具有张应力，且NMOS元件的间隙壁较佳具有压应力。本发明所述的金属氧化物半导体元件和半导体结构，可分别于LDD区和袋型区产生局部应力，抑制了LDD区和袋型区掺杂物的扩散，减少了源极和漏极间的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 元件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体元件，其特征在于，该金属氧化物半导体元件包括：一半导体基底；一栅极堆叠，位于该半导体基底上方；一间隙壁衬层位于该栅极堆叠的侧壁，且该间隙壁衬层具有一部分位于该基底上方；一间隙壁，位于该间隙壁衬层上方，其中该间隙壁具有实质上大于300MPa的应力。
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