[发明专利]非易失性存储器

摘要

一种非易失性存储器，包括基底、多个NAND型存储单元区块、多个虚拟选择栅极线与多个阱区延伸结构。基底中设置有第一导电型阱区。多个NAND型存储单元区块设置于基底上，且在行方向上成镜像配置。NAND型存储单元区块各包括多个存储单元行、多条选择栅极线、多条源极线与多条位线。这些存储单元行配置成行/列阵列，在列的方向上每隔N行存储单元行(N为正整数)设置有两行虚拟存储单元行。每相邻两NAND型存储单元区块的源极线之间设置有两条虚拟选择栅极线。阱区延伸结构设置于两条虚拟选择栅极线之间的基底上，且位于虚拟位线下，并电连接虚拟位线与第一导电型阱区。

主权项

1.一种具有阱区延伸结构的非易失性存储器，包括：基底，该基底中设置有第一导电型阱区；多个NAND型存储单元区块，设置于该基底上，且在行方向上成镜像配置，各个这些NAND型存储单元区块包括：多个存储单元行，这些存储单元行配置成行/列阵列，在列的方向上每隔N行存储单元行(N为正整数)设置有两行虚拟存储单元行，各个这些存储单元行包括：第二导电型源极区与第二导电型漏极区，设置于该第一导电型阱区中；两个选择晶体管，设置于该第二导电型源极区与该第二导电型漏极区之间的该基底上；以及多个存储单元，串联连接于两个选择晶体管之间；多条选择栅极线，设置于该基底上，在列方向平行排列，各条该选择栅极线电连接该选择晶体管；多条源极线，设置于该基底上，在列方向平行排列，各该源极线通过源极线插塞与该第二导电型源极区电连接；多条位线，设置于该基底上，在行方向平行排列并与该第二导电型漏极区电连接，其中分别连接这些虚拟存储单元行的这些位线作为虚拟位线；多个虚拟选择栅极线，在每相邻两个这些NAND型存储单元区块的这些源极线之间设置有两条虚拟选择栅极线；以及多个阱区延伸结构，设置于该两条虚拟选择栅极线之间的该基底上，且位于这些虚拟位线下方，并电连接这些虚拟位线与该第一导电型阱区。