[发明专利]光刻工艺监测标记用光掩模图案及其应用无效
申请号: | 200710003752.3 | 申请日: | 2007-01-24 |
公开(公告)号: | CN101231459A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
发明(设计)人: | 林柏青;马传泰 | 申请(专利权)人: | 力晶半导体股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种光刻工艺监测标记用光掩模图案,以及利用其的监测光刻工艺的方法。此光掩模图案包括不透光或半透光层,其中形成有至少一列沿短轴方向排列的多个扁菱形开口,以及位于扁菱形开口旁的孔;并包括位于此孔中的至少一列沿短轴方向排列的多个扁菱形图形,其材料与前述不透光或半透光层相同。光刻工艺监测方法则是在光掩模上的图案转移至光致抗蚀剂层之后,检查光致抗蚀剂层中对应该至少一列扁菱形开口的至少一沟槽的边缘及对应该至少一列扁菱形图形的至少一条状光致抗蚀剂图形的边缘是否皆呈锯齿状,如是则表示该光刻工艺符合要求,反之则否。 | ||
搜索关键词: | 光刻 工艺 监测 标记 用光 图案 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一种光刻工艺监测标记用光掩模图案,包括:不透光或半透光层,其中形成有至少一列沿短轴方向排列的多个扁菱形开口,以及位于该至少一列扁菱形开口旁的孔;以及位于该孔中的至少一列沿短轴方向排列的多个扁菱形图形,其材料与该不透光或半透光层相同。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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