[发明专利]生成低电阻自对准多晶硅化物栅极和台面接触区MOSFET器件的结构和方法有效
| 申请号： | 200710003854.5 | 申请日： | 2007-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101009328A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 胡永中;戴嵩山 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张静洁 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种新型的一体化设计，能够生产功率MOSFET，特别是生产栅极和台面接触区使用的自对准多晶硅化物，以及使用多能量接触注入法通过自对准多晶硅化层生成传导体接触，通过自对准多晶硅化物与源区短路。 | ||
| 搜索关键词： | 生成 电阻 对准 多晶 硅化物 栅极 台面 接触 mosfet 器件 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种槽金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET电池，其特征在于，包括一个被源区所环绕的槽栅，所述源区被围绕在位于基片底面上的漏区上方的体区中；其中，所述MOSFET电池进一步包括：一个源接触开口和一个通过保护绝缘层所开的栅极开口，以便在此注入接触金属接触，从而接触所述MOSFET电池的所述源极和所述栅极；和一层位于所述体区与台面接触区中源-体接触金属之间的自对准多晶硅化层和一层位于所述栅极与栅接触金属之间的自对准多晶硅化层，从而降低所述MOSFET电池的电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于万国半导体股份有限公司，未经万国半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710003854.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：材料处理单元中燃气涡轮的控制处理
- 下一篇：内燃机的气门传动装置
- 同类专利
- 专利分类
