[发明专利]优质氧化锡的形成方法无效
| 申请号： | 200710004964.3 | 申请日： | 2007-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101244894A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;马昕 | 申请（专利权）人： | 北京行者多媒体科技有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23;C01G19/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100086北京市海淀区中关村南大街*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种优质氧化锡的形成方法。在使用大气压化学气相沉积法(APCVD)制作适用于薄膜太阳能电池的有纹理的低电阻，且高度透明的氧化锡薄膜时，首先在玻璃基板上沉积一个有纹理，但电阻率偏高的第一层氧化锡，然后在其上形成一个本身较平滑的，但导电率高的第二层氧化锡。相比于传统的一步连续形成的氧化锡，这种多步形成的氧化锡更容易满足高性能薄膜太阳能电池的各种需要。 | ||
| 搜索关键词： | 优质 氧化 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一个氧化锡薄膜，它是由氟或硼掺杂的，其制作方法为大气压化学气相沉积法(APCVD)，被沉积在一个与其形成过程相匹配的，譬如是玻璃板的基板上。其特征在于：它的形成过程是由多个显著不同的步骤组成，且每个步骤都使用至少一个不同的提供镀膜原材料的喷射器。所形成的薄膜由数个子层叠加而成，每个子层都具有不同的特性。
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