[发明专利]发光二极管装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710005491.9 | 申请日： | 2007-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN101241958A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 高旗宏;王宏洲;陈煌坤 | 申请（专利权）人： | 台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管装置包括导热基板、第一半导体层、发光层以及第二半导体层。第一半导体层形成于导热基板之上，发光层形成于第一半导体层上，而第二半导体层形成于发光层上。其中第二半导体层的出光面具有多个台阶凸块。另外，本发明亦揭露一种发光二极管装置的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种发光二极管装置，包括：导热基板；第一半导体层，形成于该导热基板之上；发光层，形成于该第一半导体层上；以及第二半导体层，形成于该发光层上，其中该第二半导体层的出光面具有多个台阶凸块。
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