[发明专利]半导体器件和提高电熔断器的电阻值的方法有效
| 申请号： | 200710006908.3 | 申请日： | 2007-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101150113A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 岩本猛;河野和史;荒川政司;米津俊明;大林茂树 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/04;H01L21/768;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 所提供的是一种具有电熔断器结构的半导体器件，所述电熔断器结构接收电流的供给以便可以在不损坏熔断器周围部分的情况下被切断。电熔断器电连接在电路和作为备用电路的冗余电路之间。在利用树脂密封这些电路之后，熔断器可以通过从外部接收电流的供给而被切断。电熔断器形成在精细层中，且由主布线和阻挡膜制成。主布线和阻挡膜中每一个的线性膨胀系数大于每一个绝缘层的线性膨胀系数。主布线和阻挡膜中每一个的熔点低于每一个绝缘层的熔点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 提高 熔断器 阻值 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：绝缘层；以及电熔断器，其形成在所述绝缘层中并具有比所述绝缘层的线性膨胀系数大的线性膨胀系数，且进一步具有比所述绝缘层的熔点低的熔点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社瑞萨科技，未经株式会社瑞萨科技许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710006908.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：零PU值啤酒杀菌工艺
- 下一篇：一种烟囱连接头
