[发明专利]半导体器件和提高电熔断器的电阻值的方法有效
申请号: | 200710006908.3 | 申请日: | 2007-01-30 |
公开(公告)号: | CN101150113A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
发明(设计)人: | 岩本猛;河野和史;荒川政司;米津俊明;大林茂树 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525;H01L27/04;H01L21/768;H01L21/822 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 所提供的是一种具有电熔断器结构的半导体器件,所述电熔断器结构接收电流的供给以便可以在不损坏熔断器周围部分的情况下被切断。电熔断器电连接在电路和作为备用电路的冗余电路之间。在利用树脂密封这些电路之后,熔断器可以通过从外部接收电流的供给而被切断。电熔断器形成在精细层中,且由主布线和阻挡膜制成。主布线和阻挡膜中每一个的线性膨胀系数大于每一个绝缘层的线性膨胀系数。主布线和阻挡膜中每一个的熔点低于每一个绝缘层的熔点。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 提高 熔断器 阻值 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:绝缘层;以及电熔断器,其形成在所述绝缘层中并具有比所述绝缘层的线性膨胀系数大的线性膨胀系数,且进一步具有比所述绝缘层的熔点低的熔点。
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