[发明专利]镶嵌内连线结构与双镶嵌工艺

摘要

一种双镶嵌工艺，首先提供一衬底，其具有一底层介电层、形成在该底层介电层中的下层导电层，及覆盖住该下层导电层及该底层介电层的盖层，接着，于该盖层上沉积一介电层，再于该介电层上沉积一硅氧层，再于该硅氧层上形成一金属硬掩模，接着于该金属硬掩模中形成一沟槽凹口，然后，经由该沟槽凹口，蚀刻该硅氧层与该介电层，形成通路开口，使其暴露出部分的该盖层，最后，进行一衬垫层蚀除(LRM)工艺，利用一不含氢的氟烷气体混合一含氮气体等离子，选择性地蚀除经由该通路开口暴露出来的该盖层，暴露出部分的该下层导电层。

主权项

1.一种镶嵌工艺，包含有以下的步骤：提供衬底，其具有底层介电层、形成在该底层介电层中的下层导电层，以及覆盖住该下层导电层及该底层介电层的盖层；于该盖层上沉积介电层；于该介电层中蚀刻出开口，暴露出部分的该盖层；以及进行衬垫层蚀除工艺，利用四氟化碳/三氟化氮气体等离子，选择性地蚀除经由该开口暴露出来的该盖层，以暴露出部分的该下层导电层以及该底层介电层，形成通路开口，其中于该通路开口的底部，该下层导电层及该底层介电层之间的落差仅小于150埃。