[发明专利]用于紫外光探测器的双层减反射膜及其制备方法无效
申请号: | 200710008768.3 | 申请日: | 2007-03-30 |
公开(公告)号: | CN101055320A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 吴正云;张峰;朱会丽 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | G02B1/10 | 分类号: | G02B1/10;G02B1/11 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 用于紫外光探测器的双层减反射膜及其制备方法,涉及一种光学薄膜。提供一种具有高减反射效率以及抗玷污力和抗辐射性能强的主要用于紫外光探测器的双层紫外减反膜及其制备方法。设有n+型4H-SiC衬底,在n+型4H-SiC衬底上从下到上依次生长SiO2层和Al2O3层,SiO2层厚度为d1=入/2n1,Al2O3层厚度为d2=入/4n2,入为光波长,n1、n2为SiO2、Al2O3的折射率。制备时,清洗衬底;将蒸发源和衬底放入电子束蒸发设备的蒸发腔腔体;封闭蒸发腔腔体,抽真空,真空度至少3.0×10-3Pa;预熔蒸发源,同时通氧气,用电子束轰击蒸发源进行镀膜;对蒸发腔放气降温至室温,取出样品。 | ||
搜索关键词: | 用于 紫外光 探测器 双层 减反射膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.用于紫外光探测器的双层减反射膜,其特征在于设有n+型4H-SiC衬底,在n+型4H-SiC衬底上从下到上依次生长SiO2层和Al2O3层,其中SiO2层的厚度为d1=λ/2n1,Al2O3层的厚度为d2=λ/4n2,其中λ为光波长,n1、n2分别为SiO2、Al2O3的折射率。
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