[发明专利]一种Al－O－N扩散阻挡层及制备方法无效
| 申请号： | 200710011525.5 | 申请日： | 2007-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101314853A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 孙超;王启民;李伟洲;姚勇;鲍泽斌;刘山川;宫骏;闻立时 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23F15/00 | 分类号： | C23F15/00;C23C14/22;C23C14/54;C23C14/06;C23C14/02;F01D5/28 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及涂层技术，具体地说是一种Al－O－N扩散阻挡层及制备方法，与MCrAlY(M＝Ni，Co或Ni+Co)防护涂层结合应用；采用电弧离子镀技术，以纯铝为靶材，控制反应过程中O2和N2的流量，在高温合金基体上沉积Al－O－N扩散阻挡层，然后采用电弧离子镀技术沉积MCrAlY涂层。本发明所涉及的这种Al－O－N扩散阻挡层，组织致密，与基体结合良好，在高温氧化条件下能有效降低MCrAlY涂层与高温合金基体间金属元素互扩散，改善MCrAlY涂层的高温性能；而且工艺简单，容易实现工业化生产，是一种性能优异、有应用前景的扩散阻挡层，适用于镍基高温合金。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 al 扩散 阻挡 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Al-O-N扩散阻挡层，其特征在于，扩散阻挡层的相结构以α-Al2O3 为主，原子百分比占60～90％；并含有六方的AlN，原子百分比占10～40％。
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