[发明专利]一种Cr－O－N活性扩散阻挡层及制备方法无效
| 申请号： | 200710011526.X | 申请日： | 2007-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101314854A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 孙超;李伟洲;王启民;姚勇;鲍泽斌;刘山川;宫骏;闻立时 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23F15/00 | 分类号： | C23F15/00;C23C14/22;C23C14/54;C23C14/06;C23C14/02;F01D5/28 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及涂层技术，具体地说是一种Cr－O－N活性扩散阻挡层及其制备方法。采用电弧离子镀技术，以纯铬为靶材，通过控制反应过程中O2和N2的流量，获得在高温氧化情况下能有效降低涂层与高温合金基体间金属元素互扩散的阻挡层；在阻挡层上沉积MCrAlY涂层作为抗氧化涂层。本发明所涉及的Cr－O－N活性扩散阻挡层组织致密，与基体结合良好，工艺简单，制备成本低，是优良的扩散阻挡层。本发明适用于基体为镍基、钴基或铁基高温合金。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cr 活性 扩散 阻挡 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Cr-O-N活性扩散阻挡层，其特征在于，该扩散阻挡层的相组成以Cr2O3为主，原子百分比占60-92％；同时含CrN相，原子百分比占8-40％，此两相均匀分布于膜中。
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