[发明专利]浮法冶金熔融析出杂质提纯生产太阳能多晶带硅无效
| 申请号： | 200710014959.0 | 申请日： | 2007-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101328605A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 张金学;曹军;高新忠 | 申请（专利权）人： | 济南荣达电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/04;C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101山东省济南市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种浮法冶金融熔生长太阳能多晶带硅及杂质提纯方法，涉及光电产业及半导体产业的多晶硅制作。以高纯石墨坩埚为液槽，以Bi－Si融体为基本母液成分，采用真空电阻炉设备作为整个体系的升温装置，通过改变条件，调控调控微观硅晶体从母液中析出带硅，然后在惰性气体保护下采用激光退火、灯光退火、电子束退火、区熔退火等再结晶实验手段进行处理，改善晶体结构，促使晶粒长大。 | ||
| 搜索关键词： | 冶金 熔融 析出 杂质 提纯 生产 太阳能 多晶 | ||
【主权项】：
1.一种浮法冶金融熔析出杂质提纯生产太阳能多晶带硅的方法，其特征在于该工艺包括：浮法冷凝带硅生长、浮法熔融杂质提纯、多晶带硅再结晶等三个方面。
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