[发明专利]低频半导体器件的高频应用技术

摘要

本发明给出了低频半导体器件的高频应用技术，波频和波阻的计算方法为f＝kf₀＝k/2π√Lc，ρ＝ρ_o/k′＝√L/c/k′在各种发射机大功率高频模块或集成电路中应用时，先组成两个整流桥，第一整流桥连接整流滤波(C)，输出供给振荡切换电路(F)正偏电压1nv，再由两个整流桥的共同桥壁接到整流滤波(B)，由振荡切换电路(F)提供反偏电压。在能源、感应加热，介质加热，高频焊接中应用时，先组成两个整流桥，第一个整流桥连接整流滤波电路(C)，输出供给振荡输出电路(F)正偏电压，再由两个整流桥的共同桥壁接到整流滤波(B)，通过电感器输入到振荡输出电路(F)反偏电压。本产品寿命长，造价低，性能稳定可靠，效率高，频率高，功率大，体积小，重量轻。

主权项

1. 低频半导体器件的高频应用技术，其特征在于频率的计算方法与波阻的计算方法为f＝kf0＝k/2π√Lc，ρ＝ρo/k′＝√L/c/k′，k及k′为经验系数，L、C为接口谐振电路的实际参数，改变L、C的数值即可改变频率f，波阻ρ的数值。