[发明专利]单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩的制备方法有效

专利信息
申请号: 200710017915.3 申请日: 2007-05-23
公开(公告)号: CN101063223A 公开(公告)日: 2007-10-31
发明(设计)人: 肖志超;苏君明;李永军;彭志刚;邓红兵;孟凡才;邵海成;李睿 申请(专利权)人: 西安超码科技有限公司
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B29/06
代理公司: 西安创知专利事务所 代理人: 谭文琰
地址: 71002*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩的制备方法。该方法采用炭纤维无纬布与薄炭纤维网胎交替环向缠绕,径向针刺制成低密度准三向保温罩预制体;通过糠酮树脂真空浸渍、固化和炭化致密保温罩预制体,反复致密2-4次,达到密度≥1.2g/cm3时,致密工艺结束,在通入氯气或氟利昂的条件下,进行高温纯化处理,机加后即制备单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩。本发明的优点是:一是致密工艺条件简化,降低了成本,并适用于大型尺寸制品的生产;二是树脂炭基体减小了炭/炭保温罩材料的导热系数,提高了热场保温效果,节省能耗;三是炭/炭保温罩材料的力学性能高,延长了使用寿命。
搜索关键词: 单晶硅 拉制 炉用炭 保温 制备 方法
【主权项】:
1、一种单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩的制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤:(1)采用炭纤维无纬布与薄炭纤维网胎交替环向缠绕径向针刺全炭纤维准三向结构预制体;(2)采用糠酮树脂浸渍炭化致密预制体,在抽真空条件下在浸渍罐中浸渍3小时后出罐,再转入炭化炉进行炭化处理,反复致密2-4次;(3)保温罩预制体制品密度≥1.20g/cm3时致密工艺结束,在通入氯气和氟利昂的条件下对保温罩预制体制品进行高温纯化处理;(4)机械加工后即制得单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩。
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