[发明专利]无反射高出光率单元WLED功率扩容式大功率WLED光源有效

专利信息
申请号: 200710018705.6 申请日: 2007-09-20
公开(公告)号: CN101173758A 公开(公告)日: 2008-05-07
发明(设计)人: 胡家培;胡民海 申请(专利权)人: 胡家培;胡民海
主分类号: F21V29/00 分类号: F21V29/00;F21V19/00;F21V15/02;F21V5/04;H05B33/00;F21Y101/02
代理公司: 西安文盛专利代理有限公司 代理人: 李中群
地址: 710065陕西省西安市电子*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种无反射高出光率单元WLED功率扩容式大功率WLED光源,在散热基板上焊接多个蓝光BLED芯片,在各BLED芯片上面涂上硅胶质荧光粉,形成白光WLED发光体,使用具有高透光率的高强度工业塑料PC制作成薄型等厚半球状外壳,采用和PC相同透光率的高透明硅凝胶填充到PC外壳中,形成硅胶半球透镜,把硅胶透镜对中封装于荧光粉上方形成无反射高出光率单元WLED光源,由各个单元WLED光源组合扩容成为大功率WLED光源。该光源可制成路灯、应急照明灯、矿井巷道安全照明灯、矿井帽灯、地铁及机场安全照明灯、室内照明灯等WLED灯具产品,具有结构科学合理、制作成本低、散热性能好、耗电量低、光效率高、使用寿命长等优点。
搜索关键词: 反射 高出光率 单元 wled 功率 扩容 大功率 光源
【主权项】:
1.一种无反射高出光率单元WLED功率扩容式大功率WLED光源,其特征在于具有一块厚度为H1的散热基板(1),在散热基板(1)上焊接有多个按行列式灯阵排布组成的芯片发光宽度为2w的BLED芯片(2),在各芯片(2)上面分别涂一层硅胶质荧光粉(3),形成白光WLED发光体,芯片(2)厚度+荧光粉(3)厚度为h,在散热基板(1)上各发光体外用高透光率、高强度工业塑料PC按H=R-0.577w-0.33h的关系式分别罩设一个壁厚为0.2mm且透光率为n1=1.40的薄型等厚半球状外壳(5),式中H为半球状外壳(5)的高度,R为半球状外壳(5)的半径,R=H+H1,在半球状外壳(5)与发光体和基板(1)围成的空间内采用和PC相同透光率的高透明硅凝胶填充到PC外壳中形成硅胶半球透镜(4),由此组成无反射高出光率单元WLED光源,进而由各个单元WLED光源组合扩容成为大功率WLED光源。
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