[发明专利]复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及制造方法有效
| 申请号： | 200710019669.5 | 申请日： | 2007-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN101009326A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李忠辉;陈辰;董逊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 徐冬涛;瞿网兰 |
| 地址： | 210016江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种采用复合隔离层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法，它通过在AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的AlGaN势垒层和隔离层之间插入GaN隔离层，能够有效降低热电子进入到AlGaN势垒的几率，减小合金散射，提高电子的输运特性，从而改善晶体管的频率特性，另外也有利于器件欧姆接触工艺的实现，降低高性能器件制作的工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 隔离 氮化物 电子 迁移率 晶体管 外延 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构，包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、沟道层(4)、隔离层(5)、势垒层(7)和帽层(8)，衬底(1)位于最底层，成核层(2)外延生长在衬底(1)上，缓冲层(3)外延在成核层(2)之上，沟道层(4)则生长在缓冲层(3)上，隔离层(5)又外延在沟道层(4)上，势垒层(7)位于隔离层(5)的上部，帽层8外延在势垒层(7)上，其特征是在势垒层(7)和隔离层(5)之间设有厚度为1～6nm隔离层(6)，该隔离层(6)外延生长在隔离层(5)之上，而势垒层(7)则外延生长在所述的隔离层(6)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710019669.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种游泳场
- 下一篇：运送检查装置及运送装置
- 同类专利
- 专利分类
