[发明专利]类金刚石材料场电子发射阴极及制备方法无效
| 申请号： | 200710021318.8 | 申请日： | 2007-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101060047A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 宋凤麒;韩民;张璐;步海军;周丰;万建国;周剑峰;王广厚 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J29/04;H01J9/02 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 类金刚石材料场电子发射阴极制备方法，利用团簇束流在基底上沉积高密度纳米针尖发射体从而实现高场发射电流和低发射阈值，在高真空室中，利用Ar、He等气体碰撞射频磁控溅射产生的类金刚石材料蒸气产生纳米颗粒，并产生定向束流将其引到衬底，改变束流强度和沉积时间来实现高空间密度发射体制备；束流的调节方法是：调节靶室中的Ar、He气体流量101－102sccm和分压1∶1～5∶1，调节最终工作体束流的尺寸组分；调节溅射靶材到小孔的距离＞10cm调节纳米颗粒以及最终发射体的大小。本发明获得高发射体空间密度和高性能(低启动电压、高发射电流)的场发射阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚 石材 料场 电子 发射 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、类金刚石材料场电子发射阴极，其特征是由类金刚石材料团簇束流沉积在基底结构上构成高空间密度发射体(109个/cm2)和高性能场电子发射阴极；类金刚石材料为类金刚石碳薄膜(DLC)、氮化硼等具有近零或负电子亲合势、高热导和良好稳定性的类金刚石材料，基底材料是平整表面的单晶硅、金属或其它导电性良好的材料。
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