[发明专利]抑制衬底涡流效应的微电子机械电感及其制备方法无效
| 申请号： | 200710022360.1 | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101060027A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 廖小平;武锐 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01F17/00 | 分类号： | H01F17/00;H01F41/00;H01P3/00;H01L27/00;H01L21/70 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 抑制衬底涡流效应的微电子机械电感以GaAs(1)为衬底，在GaAs衬底(1)的上表面有一层AlGaAs薄膜(2)，在AlGaAs薄膜(2)的上表面有一层SiN介质层(3)，电感的上层线圈(5)悬空在SiN介质层(3)的上方，电感的上层线圈(5)的中心与位于AlGaAs薄膜(2)上的电感的下层引线(4)连接，电感的上层线圈(5)的外边缘连接第一共面波导信号线(61)；接地屏障(7)为插指形状连接在共面波导地线的内侧并位于电感器上层线圈(5)与SiN介质层(3)之间；第一共面波导信号线(61)、第二共面波导信号线(62)和第一共面波导地线(81)、第二共面波导地线(82)共同构成共面波导传输线。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 衬底 涡流 效应 微电子 机械 电感 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抑制衬底涡流效应的微电子机械电感，其特征在于该电感以GaAs衬底(1)为衬底，在GaAs衬底(1)的上表面有一层AlGaAs薄膜(2)，在AlGaAs薄膜(2)的上表面有一层SiN介质层(3)，电感的上层线圈(5)悬空在SiN介质层(3)的上方，电感的上层线圈(5)的中心与通过AlGaAs薄膜(2)上的电感下层引线(4)与第二共面波导信号线(62)连接，电感的上层线圈(5)的外边缘连接第一共面波导信号线(61)；接地屏障(7)为插指形状连接在第一共面波导地线(81)、第二共面波导地线(82)的内侧并位于电感上层线圈(5)与SiN介质层(3)之间；第一共面波导信号线(61)、第二共面波导信号线(62)和第一共面波导地线(81)、第二共面波导地线(82)共同构成共面波导传输线。
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