[发明专利]一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制作方法有效
申请号: | 200710024321.5 | 申请日: | 2007-06-13 |
公开(公告)号: | CN101323672A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 朱艾成;许惠麟;郭振报;聂伟民;朱浩;杨广生;孙志荣 | 申请(专利权)人: | 江苏冰城电材有限公司 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L79/08;C08K5/17;C08K5/09;C08K3/36;C08K3/22 |
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地址: | 212323江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种耐电晕聚酰亚胺薄膜,它主要包括均苯四甲酸二酐、4.4′二氨基二苯基醚和纳米级金属氧化物,所属纳米级金属氧化物的粒径≤50纳米。由于本发明采用以上技术方案,本发明具有以下优点:由于本发明采用了纳米材料,同时在高速剪切分散器中将纳米级金属氧化物与N,N′二甲基乙酰胺制成稳定均匀的悬浮体,所以产品用本发明制作的耐电晕聚酰亚胺薄膜具有良好的耐电晕性能,制作工艺优良,成品率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 电晕 聚酰亚胺 薄膜 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1、一种耐电晕聚酰亚胺薄膜,它主要包括均苯四甲酸二酐、4.4′二氨基二苯基醚和纳米级金属氧化物,所属纳米级金属氧化物的粒径≤50纳米。
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