[发明专利]选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法无效
| 申请号： | 200710025032.7 | 申请日： | 2007-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101101936A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 赵建华;王艾华;高鹏;王继磊;姚文杰;连维飞 | 申请（专利权）人： | 中电电气（南京）光伏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 程化铭 |
| 地址： | 211100江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法，包括高浓度掺杂扩散，其特征在于：在晶体硅片的二氧化硅层上采用印刷工艺印刷腐蚀剂，腐蚀形成电极窗口，然后，在电极窗口区域在POCl3气氛中进行高浓度掺杂扩散。本发明方法采用印刷工艺印刷腐蚀剂腐蚀方式与传统的采用光刻技术在二氧化硅层上刻蚀出电极图形方法相比，设备投资低，生产效率高；克服了光刻技术具有的设备投资昂贵，生产效率低，大批量生产困难的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 发射 结晶体 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法，包括高浓度掺杂扩散，其特征在于：在晶体硅片的二氧化硅层上采用印刷工艺印刷腐蚀剂，腐蚀形成电极窗口，然后，在电极窗口区域在POCl3气氛中进行高浓度掺杂扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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