[发明专利]浅结二极管芯片的制作方法

摘要

本发明涉及一种浅结二极管芯片的制作方法，(1)在硅片氧化并一面或双面进行光刻、腐蚀形成有源区窗口；(2)将砷原子或磷原子注入到有源区窗口；(3)在硅片表面淀积多晶硅层；(4)将硅片推入800℃～950℃的磷扩散炉进行磷扩散同时进行离子注入退火；(5)经光刻、腐蚀把有源区窗口以外的多晶硅层刻干净；(6)对硅片溅射或蒸发金属膜；(7)腐蚀掉有源区以外的金属膜；(8)在真空或在氮气或/和氢气的条件下进行合金，制成二极管芯片。本发明采用多晶硅作为金属与硅片之间的导电过渡层，既可以实现浅结工艺，又解决金属层的粘附强度，能精确控制杂质浓度和结深，保证极低的击穿电压和电参数的均匀性和一致性，具有较好的工艺重复性。

主权项

1.一种浅结二极管芯片的制作方法，其特征在于：(1)、氧化、光刻有源区：将抛光硅片进行清洁处理后进行氧化形成氧化层，在硅片的一面或双面经光刻、腐蚀形成有源区窗口；(2)、离子注入：用离子注入机将砷原子或磷原子注入到有源区窗口，注入能量为：30～80kev，注入剂量1～5E15；(3)、多晶硅淀积：在硅片表面淀积多晶硅层，淀积厚度控制在4000±500；(4)、离子注入退火及磷扩散：将硅片推入800℃～950℃的磷扩散炉内进行磷扩散，同时进行离子注入退火，时间控制在10～30min；(5)、光刻多晶硅：经光刻、腐蚀把有源区窗口以外的多晶硅层刻干净；(6)、金属膜淀积：对硅片溅射或蒸发金属膜；(7)、光刻有源区：光刻、腐蚀掉有源区以外的金属膜；(8)、合金：在真空或在氮气或/和氢气的条件下进行合金，合金温度控制在400℃～500℃，时间在25～35min，制成二极管芯片。