[发明专利]钼酸镧基多孔薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200710025853.0 | 申请日： | 2007-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101363134A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 庄重 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B29/64;C04B35/495;C04B35/624 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钼酸镧基多孔薄膜材料及其制备方法。材料为基底上覆有厚为50nm～10μm的钼酸镧基构成的多孔状多晶薄膜，其由粒径为10～90nm的钼酸镧基粒子构成，薄膜中孔的孔径为20nm～1μm；方法为(a)按照(La2－xAx)(Mo2－yBy)O9－δ的成分比，称取氧化镧、镧位掺杂物的氧化物或硝酸盐或乙酸盐、钼酸铵和钼位掺杂物的氧化物或硝酸盐或乙酸盐配成有机溶液，并依次将硝酸镧溶液、镧位掺杂物溶液和钼位掺杂物溶液加入搅拌下的钼酸铵溶液中得有机体系溶液；(b)将有机体系溶液与配位络合剂混合得涂膜胶体；(c)依次将涂覆有涂膜胶体的基底置于300～450℃下3min～2小时、升温至600℃并于500～750℃下烧结3～25小时，制得薄膜材料。它可广泛地用于中温燃料电池、氧传感器和催化氧化剂中。 | ||
| 搜索关键词： | 钼酸 基多 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钼酸镧基多孔薄膜材料，包括基底和具有(La2-xAx)(Mo2-yBy)O9-δ化学式组成的钼酸镧基，化学式中的A为镧位掺杂物，B为钼位掺杂物，其特征在于所说基底上覆有所说钼酸镧基构成的多孔状多晶薄膜，所说多孔状多晶薄膜的厚度为50nm～10μm，其由粒径为10～90nm的钼酸镧基粒子构成，所说多孔状多晶薄膜中孔的孔径为20nm～1μm，所说钼酸镧基化学式中的x、y的取值范围为0≤x≤2、0≤y≤2。
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