[发明专利]新型抗反射导电膜在审
申请号: | 200710027343.7 | 申请日: | 2007-03-29 |
公开(公告)号: | CN101276005A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 郭爱军 | 申请(专利权)人: | 郭爱军 |
主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11;G02B1/00 |
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地址: | 510410广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 新型抗反射导电膜,有三种不同的具体结构,包含有高折射率层(H)、低折射率层(L)、和透明导电膜(T)、或/和中折射率层(M);各层膜按照L/H/S/H/L/T型、或(L/H)2/S/(H/L)2/T型、或L/M/H/S/H/M/L/T型的规律排列,形成多层复合膜。本发明之新型抗反射导电膜的各膜层的厚度较小,可以简化生产工艺,适合连续批量的生产,特别是适合于生产大面积的抗反射导电膜。本发明可以广泛用做光学玻璃或透明塑料基材料上的抗反射导电膜,在液晶显示、阴极射线管、建筑玻璃、触摸屏面板、屏幕滤波器等得到广泛的应用。 | ||
搜索关键词: | 新型 反射 导电 | ||
【主权项】:
1. 新型抗反射导电膜,其特征在于所述抗反射导电膜附着在透明基材(S)上,所述抗反射导电膜是至少包含有高折射率层(H)、低折射率层(L)和透明导电膜(T),所述高折射率层(H)指波长在530nm-570nm时,折射率指数在2.1-2.4的膜层材料,所述低折射率层(L)指波长在530nm-570nm时,折射率指数在1.4-1.5膜层材料,所述透明导电膜(T)指波长在530nm-570nm时,折射率指数在1.85-1.95具有弱吸收的膜层材料,而且所述抗反射导电膜的结构是以下三种膜结构中的一种:第一种膜结构的特征在于:在透明基材(S)的两面由靠近透明基材(S)向外依次为高折射率层(H),低折射率层(L),其中一面的最外层为透明导电膜(T);高折射率层(H)的厚度在5nm至30nm之间,低折射率层(L)的厚度在60nm至120nm之间,透明导电膜(T)的厚度在5nm至40nm之间,这种排列形式的膜结构记录为L/H/S/H/L/T型;第二种膜结构的特征在于:在透明基材(S)的两面由靠近透明基材(S)向外依次为高折射率层(H),低折射率层(L),高折射率层(H),低折射率层(L),且在透明基材(S)的一面的最外层为透明导电膜(T),这种排列形式的膜结构记录为(L/H)2/S/(H/L)2/T型;组成这种9层复合膜的各膜层的厚度具有以下特征:第三种膜的排列结构中还包含中折射率层(M),所述的中折射率层(M)是指波长在530nm-570nm时,折射率指数在1.6-1.7的膜层材料。第三种膜结构的特征在于:在透明基材(S)的两面由靠近透明基材(S)向外依次为高折射率层(H),中折射率层(M),低折射率层(L),其中一面的最外层为透明导电膜(T);高折射率层(H)的厚度在5nm至30nm之间,低折射率层(L)的厚度在60nm至120nm之间,中折射率层(M)的厚度在5nm至40nm之间,透明导电膜(T)的厚度在5nm至40nm之间,这种排列形式的膜结构记录为L/M/H/S/H/M/L/T型。
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