[发明专利]一种GaN基量子阱LED外延片及制备方法无效
| 申请号： | 200710027408.8 | 申请日： | 2007-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN101281940A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李述体 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510631广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体光电子器件领域，特别是一种新型结构的GaN基LED外延片及其制备方法，其结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱及p型层，其特征在于n型层与量子阱之间有一限制层，量子阱与p型层之间有一限制层，量子阱为InxGa1－xN/InyGa1－yN量子阱。该结构在量子阱两边增加了一限制层，能增大对电子和空穴的束缚作用，明显提高发光二极管发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 量子 led 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种GaN基量子阱LED外延片，其结构从下至上依次为衬底、低温缓冲层、n型层、量子阱、p型层，其特征在于n型层与量子阱之间有一限制层，量子阱与p型层之间有一限制层，量子阱为InxGa1-xN/InyGa1-yN量子阱。
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