[发明专利]一种采用红外烧结炉制备三氧化钼纳米结构及其薄膜的方法有效
| 申请号： | 200710027736.8 | 申请日： | 2007-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101092249A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 许宁生;班冬梅;邓少芝;陈军;余峻聪 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C01G39/02 | 分类号： | C01G39/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用红外烧结炉制备三氧化钼纳米结构及其薄膜的方法，其方法为：采用红外烧结炉，在大气环境下通过加热钼蒸发源并使其蒸发；所蒸发的钼和大气中的氧气反应形成氧化钼，并沉积在衬底基板上形成三氧化钼纳米结构及其薄膜。本发明的目的在于，提供一种制备工艺简单、产率高、成本低、适合于大面积制备MoO3纳米结构及其薄膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 红外 烧结炉 制备 氧化钼 纳米 结构 及其 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种采用红外烧结炉制备三氧化钼纳米结构及其薄膜的方法，其特征在于：采用红外烧结炉，在大气环境下通过加热钼蒸发源并使其蒸发；所蒸发的钼和大气中的氧气反应形成氧化钼，并沉积在衬底基板上形成三氧化钼纳米结构及其薄膜。
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