[发明专利]含硅芴共轭聚合物及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 200710028956.2 | 申请日： | 2007-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101148495A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 曹镛;王二刚;王藜 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及含硅芴共聚物的制备及其应用，所述共聚物由单体2，7－硅芴和窄带隙单体共聚物组成，共聚物的吸收光谱吸收边大于500纳米。其制备方法是将2，7－硅芴单体与含氮和/或硫杂原子的窄带隙单体进行共聚，将其吸收带边推向红光及近红外区。本发明提供的含硅芴聚合物可用于制备聚合物太阳能电池，场效应管等领域。其迁移率高，长期稳定性好，能量转化效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 含硅芴 共轭 聚合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种含硅芴共轭聚合物，其特征在于具有以下结构；其中R1、R2为相同或不同的C1-C20的烷基、烷氧基、烷氧苯基或苯基；R3、R4为相同或不同的H，C1-C20的烷基、烷氧基、烷氧苯基、苯基；Ar是指含有硫和/或氮杂原子的杂环化合物；曲线部分表示硅芴单元与Ar的连接方式为单键，双键，三键或非共轭单元。X∶Y＝25-65∶35-75摩尔；n＝1，2，3，……
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