[发明专利]一种恒流源器件及制造方法有效
申请号: | 200710031759.6 | 申请日: | 2007-11-28 |
公开(公告)号: | CN101452953A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 吴纬国 | 申请(专利权)人: | 广州南科集成电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/41;H01L21/336;H01L21/28 |
代理公司: | 广州市红荔专利代理有限公司 | 代理人: | 李彦孚 |
地址: | 510663广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种可直接应用于交流电源及直流电源的具有过流过压保护功能的恒流源器件及制造方法。该器件包括硅衬底(1),形成于硅衬底(1)正面的氧化层(6),位于氧化层(6)正面的漏极金属(2)、源极金属(3)、栅极金属(4),植入到硅衬底(1)中的P+保护环(50)、N+漏区(52)、N+源区(53),位于N+源区(53)内的P+衬底区(51),连接N+漏区(52)与N+源区(53)之间的N-通道区(54),漏极金属(2)、源极金属(3)分别与N+漏区(52)、N+源区(53)、P+衬底区(51)相连接,源极金属(3)、栅极金属(4)通过连接金属(7)相电连接。该方法包括氧化、光刻、蚀刻、离子注入、高温驱入、沉积金属层等步骤。本发明可广泛应用于电子器件领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 恒流源 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种恒流源器件,包括P型硅衬底(1),形成于所述硅衬底(1)正面的氧化层(6),位于所述氧化层(6)正面的漏极金属(2)、源极金属(3)、栅极金属(4),其特征在于:所述恒流源器件还包括植入到所述硅衬底(1)中的P+保护环(50)、N+漏区(52)、N+源区(53),位于所述N+源区(53)内的P+衬底区(51),连接所述N+漏区(52)与所述N+源区(53)之间的N-通道区(54),所述氧化层(6)上有若干个漏极通孔(82)、源极N+通孔(83)、源极P+衬底通孔(81),所述漏极金属(2)填充若干个所述漏极通孔(82)并与所述N+漏区(52)相连接,所述源极金属(3)分别填充若干个源极N+通孔(83)、源极P+衬底通孔(81)并分别与所述N+源区(53)、所述P+衬底区(51)相连接,所述源极金属(3)、所述栅极金属(4)通过连接金属(7)相电连接。
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