[发明专利]一种有机电致发光二极管制造方法及其使用的缓冲转换腔有效
申请号: | 200710031789.7 | 申请日: | 2007-11-29 |
公开(公告)号: | CN101183708A | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
发明(设计)人: | 范家寿;柯贤军 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 | 代理人: | 宣国华 |
地址: | 516600广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种有机电致发光二极管制造方法,包括高真空环境下在基板上沉积各有机功能层的镀膜阶段;缓冲转换腔体中的环境转换传递阶段;高纯N2环境的封装阶段;在缓冲转换腔体中通过外置电源对完成镀膜的基板进行电和气体处理。本发明在生产线上的传输转换腔体中对器件进行电和气体处理,通电时将会有较大电流流过器件短路缺陷处而将短路缺陷烧坏,氧气等气体处理可以将短路缺陷处氧化而使其丧失导电功能,从而把局部短路的缺陷区域去掉。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 二极管 制造 方法 及其 使用 缓冲 转换 | ||
【主权项】:
1.一种有机电致发光二极管制造方法,包括高真空环境下在基板上沉积各有机功能层的镀膜阶段;缓冲转换腔体中的环境转换传递阶段;高纯N2环境的封装阶段;其特征在于:在缓冲转换腔体中通过外置电源对完成镀膜的基板进行电处理,使基板正极接电源的负极、基板负极接电源的正极,利用二极管反压截止原理,基板上器件中流过短路缺陷处的电流将会明显大于没有短路缺陷的地方,从而把局部短路的缺陷区域烧坏去掉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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