[发明专利]电力半导体芯片门阴结加压测试方法及装置有效
| 申请号： | 200710036058.1 | 申请日： | 2007-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN101144845A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 张明;李继鲁;蒋谊;陈芳林 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H01L21/66 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 412001*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 芯片门阴极间PN结阻断特性施加压测试方法及装置，将芯片置于一种带阳极钼片、阴极钼片和弹性门极件的加压式门阴极阻断特性的中间检测夹具之间，通过一个夹持机构带动阳极钼片或阴极钼片，使阳极钼片和阴极钼片在一定的压力下相互与芯片贴合在一起，再通过一个施力机构使芯片上的阴极梳条通过钼片电联通，在阴极钼片下装有门极，并通过弹力导柱引出，接至检测电源及仪表，通过检测仪表显示半导体芯片室温时的门阴极阻断特性的中间检测结果。 | ||
| 搜索关键词： | 电力 半导体 芯片 门阴结 加压 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.电力半导体芯片门阴间PN结加压测试方法，其特征在于：将芯片置于一种带阳极钼片、阴极钼片和门极件的加压式中间检测夹具之间，通过一个夹持机构带动阳极钼片或阴极钼片，使阳极钼片和阴极钼片在一定的压力下相互与芯片贴合在一起，再通过一个施力机构使芯片上的阴极梳条与钼片电连通，在阴极钼片侧装有门极，并通过弹力导柱引出，接至检测仪表，通过检测仪表显示半导体芯片室温时的门阴极间PN结阻断特性的中间检测结果。
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